Том 5 №2


Электронное сетевое издание

«Российский технологический журнал» «Russian technological journal»

Университет объединяет в своем составе:
МИРЭА, МГУПИ, МИТХТ, ВНИИТЭ, РосНИИ ИТиАП, ИПК Минобрнауки России.


ТОМ 5 №2

Скачать одним файлом 22


МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА. ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ

В.В. Крутов,
А.С. Сигов,
А.А. Щука

ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ФОТОННЫХ И ФОНОННЫХ КРИСТАЛЛОВ 26

Аннотация
В статье обобщены и проанализированы результаты исследований в области технологии создания сегнетоэлектрических фотонных и фононных кристаллов. Рассмотрены особенности формирования антипараллельных доменов в сегнетоэлектриках различными методами. Особое внимание уделено индустриально-ориентированным технологиям с малой продолжительностью технологического цикла. Кратко описаны результаты работ, выполненных в Московском технологическом университете. Предложен и исследован физико-технологический принцип, при котором локальное стимулирование инверсии доменов осуществляется с помощью интерферирующих волн и однородного электрического поля (термоинтерференционный принцип). Получены выражения для оценки энергетических и временных параметров интерференционного импульса, не зависящие от физической природы волн (электромагнитных и акустических). Рассмотрен метод реализации биимпульсной гетеротермальной технологии (БИГ-технологии) с использованием упругих волн (акустоинтерференционный метод), в частности, его «+Z-модификация». Данная модификация предполагает использование температурной решётки, индуцированной волнами, интерферирующими на +Z-поверхности сегнетоэлектрика. Предложены варианты конструкций оборудования для реализации «+Z-модификации» акустоинтерференционного метода. Разработана модель проектирования оборудования, позволяющая оптимизировать основные технологические параметры. Оценены основные параметры применительно к с-ориентированным плёнкам цирконата-титаната свинца. Показано, что использование акустоинтерференционного метода позволяет формировать регулярные доменные структуры в плёнках указанного сегнетоэлектрика с рекордно малой продолжительностью технологического цикла .
Ключевые слова: доменная инженерия, доменные структуры в сегнетоэлектриках, фотонные кристаллы, температурные решетки, биимпульсная гетеротермальная технология, акустоинтерференционный метод

3

А.М. Буряков

ГЕНЕРАЦИЯ ВТОРОЙ ОПТИЧЕСКОЙ ГАРМОНИКИ В ЦЕНТРОСИММЕТРИЧНОМ АНТИФЕРРОМАГНЕТИКЕ LaFeO3 15

Аннотация
В работе представлены экспериментальные и теоретические нелинейно-оптические исследования тонкой пленки центросимметричного антиферромагнетика LaFeO3, в котором электродипольная генерация второй оптической гармоники запрещена. Спектроскопические исследования показали наличие резонансной частоты в спектре генерации второй оптической гармоники (ГВГ) при энергии фотона накачки 2ћω ≈ 2.85 эВ. В результате сравнения спектра ГВГ со спектром поглощения на частоте 2ω выявлены особенности, связываемые с наличием в образце электронного перехода, приводящего к резонансной спектральной зависимости. Предложены модели для описания поляризационных зависимостей для двух длин волн лазерного излучения (нерезонансной 800 нм и резонансной 860 нм), а также для расчета компонент тензора нелинейной восприимчивости. Показано наличие магнитоиндуцированной ГВГ, проявляющейся при максимальном подавлении кристаллографического (электродипольного или электроквадрупольного) вклада путем выбора оптимальных поляризационных соотношений для волн накачки и второй гармоники.
Ключевые слова: тонкие пленки, антиферромагнетик, генерация второй оптической гармоники, ортоферрит лантана, магнито-оптические эффекты, намагниченность, поляризация, переключение.

22

А.Н. Юрасов

ОСОБЕННОСТИ МАГНИТОРЕФРАКТИВНОГО ЭФФЕКТА В НАНОСТРУКТУРАХ 12

Аннотация
Работа посвящена теоретическому исследованию магниторефрактивного эффекта (МРЭ) в наноструктурах, обсуждены возможные механизмы его усиления. Магниторефрактивный эффект представляет собой изменения коэффициентов отражения, прохождения и поглощения электромагнитных волн в образцах с магнитосопротивлением при приложении магнитного поля. Получены формулы для изменения коэффициентов рефракции и экстинкции в магнитном поле, позволяющие с большей степенью достоверности описывать спектры магниторефрактивного эффекта, особенно в ближней ИК-области спектра. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными. Показано, что величина и частотная зависимость МРЭ чувствительна к оптическим свойствам структур, их толщине и величине магнитосопротивления. Установлено, что изменение оптических параметров напрямую связано с магнитопроводимостью (магнитосопротивлением) в наноструктурах под действием магнитного поля. МРЭ может быть эффективно использован как бесконтактный метод измерения магнитосопротивления наноструктур.
Ключевые слова: магниторефрактивный эффект, наноструктуры, магнитосопротивление.

32

А.Э. Ячменев,
В.И. Рыжий,
П.П. Мальцев

ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ ПРИБОРА PHEMTНА ОСНОВЕ GaAs С ПОМОЩЬЮ ПРОФИЛИРОВАННОГО ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЯ ОЛОВОМ 8

Аннотация
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены образцы структур типа PHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) с профилем дельта-легирования в виде нанонитей из атомов олова на вицинальных подложках GaAs, разориентированных на 0.3 градуса относительно точной ориентации (100). Выполнено исследование электронного транспорта в таких структурах. Установлено, что неоптимальная температура роста закрывающих высаженные атомы олова слоев приводит к деградации электрофизических параметров образцов и предотвращает формирование одномерных каналов из атомов олова. На вольтамперных характеристиках образцов обнаружена анизотропия тока насыщения при протекании тока вдоль и поперек нанонитей, связанная с формированием квазиодномерного потенциального рельефа в дельта-слое. Изготовлены полевые транзисторы специальной топологии для протекания тока в ортогональных направлениях и измерены их частотные характеристики. Обнаружена сильная анизотропия частотных характеристик в зависимости от направления протекания тока.Для параллельного направления значение коэффициента усиления MSG (maximum stable gain) находится на уровне лучших GaAs PHEMT.
Ключевые слова: PHEMT, олово, нанонити, анизотропия, вольтамперные характеристики, полевой транзистор.

40

ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ. ИНФОРМАТИКА. ПРОБЛЕМЫ ИНФОРМАЦИОННОЙ БЕЗОПАСНОСТИ

Ш.Г. Магомедов

ОЦЕНКА СТЕПЕНИ ВЛИЯНИЯ СОПУТСТВУЮЩИХ ФАКТОРОВ НА ПОКАЗАТЕЛИ ИНФОРМАЦИОННОЙ БЕЗОПАСНОСТИ 13

Аннотация
В статье рассмотрена задача повышения достоверности оценок показателей обеспечения информационной безопасности на основе построения когнитивных моделей сопутствующих факторов, связанных с процессом формирования и развития разных типов угроз. Введены новые типы оценок показателей безопасности, обеспечивающие определенный гарантированный уровень интервала возможных значений показателя. Сформирована процедура построения когнитивных моделей сопутствующих факторов, а также оценки показателей безопасности на основе построенной когнитивной модели. Указанная процедура продемонстрирована на конкретном примере. Анализ уровня обеспечения информационной безопасности является важной составляющей проблемы обеспечения и даже повышения эффективности функционирования объекта защиты. Существующие методики оценки уровня безопасности чаще всего опираются на использование экспертных методов непосредственно для оценки показателей, что даже для относительно не сложных объектов и систем обработки данных дает достаточно приблизительные оценки ввиду наличия достаточно большого числа неопределенных и случайных факторов. С целью повышения качества оценок предлагается уточнить процесс формирования угроз разных типов на основе построения когнитивных моделей, описывающих зависимость рассматриваемой угрозы от факторов, способных оказать значимое влияние на показатели информационной безопасности.
Ключевые слова: безопасность информации, когнитивная модель, сопутствующие факторы, гарантированные, экстремальные и средние оценки показателей, оценка степени влияния факторов на угрозы.

47

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИИ

Сандуляк А.А.,
Сандуляк А.В.,
Полисмакова М.Н.,
Киселев Д.О.,
Сандуляк Д.А.

ПОДХОД К КООРДИНАЦИИ МАЛООБЪЕМНОГО ОБРАЗЦА ПРИ РЕАЛИЗАЦИИ ПОНДЕРОМОТОРНОГО МЕТОДА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЕГО МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ 32

Аннотация
В настоящей работе рассматривается малоизученный вопрос идентификации рабочей зоны (зоны для координации исследуемых образцов малых объемов) в весах Фарадея по определению магнитной восприимчивости образцов пондеромоторным методом на основании специально получаемой координатной характеристики индукции поля между полюсными наконечниками указанных весов. Показано, что такая идентификация может быть вполне результативной в том случае, когда данная характеристика, обычно нелинейная и не поддающаяся желаемой, даже частичной, линейной аппроксимации, имеет перегиб. Тогда появляется возможность объективной линейной аппроксимации определенного участка этой характеристики, т.е. констатации стабильных значений градиента индукции в соответствии с принятым условием позиционирования образца. Становится также возможной иллюстрация экстремального вида характеристики градиента индукции; в окрестности экстремума значения градиента относительно стабильны.
Ключевые слова: весы Фарадея, магнитная восприимчивость, зона размещения образца, характеристики напряженности (индукции), экстремум градиента.

57

ЭКОНОМИКА НАУКОЕМКИХ И ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ И ПРОИЗВОДСТВ

Лабзунов П.П.

МЕТОДОЛОГИЯ УПРАВЛЕНИЯ ЗАТРАТАМИ ПРОМЫШЛЕННОГО ПРЕДПРИЯТИЯ В СОВРЕМЕННОМ ОБЩЕСТВЕ 11

Аннотация
Трансформация рыночной экономики в условиях информационного общества вызывает необходимость разработки современной методологии управления затратами на промышленных предприятиях. Формирование эффективной системы реально только на базе адаптированных для инновационного развития принципов и методов управления. Эти базисные элементы методологии требуют уточнения. В связи с переходом к рыночным отношениям в экономике России произошли радикальные изменения: изменилась форма собственности и владельцы предприятий, преобразована вся система производственно-общественных отношений, произошел переход от планирования и директивного управления к методам конкуренции и саморегулированию в масштабе национальной экономики. В то же время научная база управления затратами, которую используют предприятия промышленности – и отечественная, и заимствованная – устарела. Вертикальная административная система управления, функционировавшая в СССР, разрушена еще в 90-х годах прошлого века. Промышленные предприятия, крупные компании сохранили лишь отдельные элементы системы управления затратами, они используют главным образом методы лимитирования и контроля затрат, тогда как необходима комплексная система управления затратами. Необходимость организации полноценной системы управления затратами требует обновления и развития методологической базы. Существенные изменения в условиях и характере производственных, управленческих процессов определяют необходимость уточнения задач, непрерывного обновления и совершенствования методологической базы управления затратами. Необходимо учитывать, что совершенствование научной базы и практики управления не происходит одномоментно, а представляет сложный процесс форматирования, апробации и организации системы управления, осуществляется постепенно.
Ключевые слова: методология, принципы управления, управление затратами, методы управления, предприятия, промышленность.

70

Система Orphus