№3


  • Электронное сетевое издание

    «Российский технологический журнал» «Russian technological journal»

    Университет объединяет в своем составе:
    МИРЭА, МГУПИ, МИТХТ, ВНИИТЭ, РосНИИ ИТиАП, ИПК Минобрнауки России.


    ТОМ 4 №3 (12) 2016

    Скачать одним файлом 8


    АНАЛИТИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИИ

    Гончаров В.Б., Ивченко В.Д.

    Погрешности частотных уровнемеров и методы их минимизации 2

    Аннотация. Рассмотрены основные причины возникновения погрешностей при измерении уровня компонентов ракетного топлива частотными датчиками: скорость распространения волны, период модуляции, нелинейность амплитудно-частотной характеристики генератора и трактов, девиация частоты и разностная частота. Предложены варианты минимизации погрешностей. Приведены методы уменьшения влияния ошибки дискретности в частотно модулированных уровнемерах: адаптивное управление напряжением модуляции, введение дополнительной медленной модуляции несущей частоты, спектральный метод анализа.
    Ключевые слова:уровнемер, волноводный датчик, СВЧ, ошибка дискретности, погрешность уровнемера.

    3

    МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА. ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ

    Кондратенко В.С., Иванов В.И.

    Технология лазерной резки кремниевых пластин на кристаллы органических светоизлучающих диодов 3

    Аннотация. В статье рассматриваются вопросы качества кристаллов в производстве микродисплеев на органических светоизлучающих диодах (ОСИД или OLED) после лазерного разделения. Данная работа направлена на увеличение выхода годных изделий при разрезании кремниевой приборной пластины на кристаллы методом лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ).
    Ключевые слова:микродисплеи; лазерное управляемое термораскалывание (ЛУТ); органические светоизлучающие диоды (ОСИД или OLED); разрезание кремниевых приборных пластин на кристаллы.

    11

    Лавров П.П.

    Влияние нарушенных слоев на диэлектрические свойства конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок 3

    Аннотация.Конденсаторные сегнетоэлектрические структуры являются основой многих современных устройств микроэлектроники, в том числе энергонезависимой памяти, пьезоэлектрических микро-актюаторов, датчиков и пр. Тенденция миниатюризации подобных устройств, требует уменьшения толщины сегнетоэлектрического слоя, что приводит к снижению важнейших характеристик сегнетоэлектрических структур, таких как диэлектрическая проницаемость, остаточная поляризация, температура Кюри и др. Подобные толщинные зависимости, как правило, интерпретируют в рамках модели «нарушенного слоя», предполагающей существование несегнетоэлектрических нарушенных, «мертвых» слоев постоянной толщины на границе сегнетоэлектрик-металл. В данной работе исследованы диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе плотных и пористых пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) различной толщины. Проведено моделирование зависимостей диэлектрической проницаемости от толщины с учетом нарушенных слоев, определена оптимальная методика моделирования.
    Ключевые слова: сегнетоэлектрики, тонкие пленки, нарушенный слой, ЦТС, моделирование.

    18

    Глинский И.А., Зенченко Н.В., Мальцев П.П.

    Тепловое моделирование терагерцового квантового-каскадного лазера на основе наногетероструктуры GaAs/AlGaAs 3

    Аннотация.В работе проведено моделирование тепловых процессов терагерцового квантово-каскадного лазера (ТГц-ККЛ) на основе наногетероструктуры GaAs/AlGaAs с двойным металлическим волноводом методом конечных элементов в условиях постоянного и импульсного режимов питания. Получено распределение температуры в ТГц-ККЛ. Проведено моделирование ТГц-ККЛ с термокомпрессионным соединением наногетероструктуры и подложки на основе In–Au, Au–Au и Cu–Cu. Получена зависимость максимальной температуры от ширины активной области ТГц-ККЛ. Исследованы температурные режимы лазера в зависимости от параметров импульсного режима питания.
    Ключевые слова: источник ТГц-излучения, терагерцовый квантово-каскадный лазер, двойной металлический волновод, тепловое моделирование, метод конечных элементов, тепловое распределение.

    27

    СОВРЕМЕННЫЕ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ

    Битюков В.К., Иванов А.А., Миронов А.В., Михневич Н.Г., Перфильев В.С., Петров В.А.

    Стенд для исследования характеристик микросхем источников вторичного электропитания с накачкой заряда 2

    Аннотация. Создан автоматизированный стенд для изучения характеристик микросхем различных видов мобильных источников стабилизированного вторичного электропитания с накачкой заряда, получающих энергию от батарей. Стенд имеет модульную структуру, включающую, помимо исследуемого модуля накачки заряда, также модули питания, управления, нагрузки, индикации и модуль USB для связи с компьютером. Стенд позволяет путем замены лишь одной маленькой измерительной платы проводить исследования микросхем различных типов. Управляющий модуль построен на базе микроконтроллера PIC18F2550. В состав автоматизированного измерительного комплекса входят мультиметр и осциллограф. Исследуемыми параметрами являются нагрузочные и регулировочные характеристики, формы пульсаций выходного напряжения, реакция микросхем на ступенчатое отключение нагрузки. Одной из важнейших целей исследований является изучение алгоритмов работы микросхем накачки заряда. Разработана программа управления стендом путем создания его виртуальной передней панели, что вместе с виртуальной панелью осциллографа и имеющимся программным обеспечением мультиметра позволяет управлять режимами работы оборудования и проведением измерений дистанционно при удаленном доступе по сети Интернет. С помощью созданного стенда получены новые экспериментальные данные для микросхемы MAX1759 по всем указанным выше характеристикам и впервые изучен алгоритм работы этой микросхемы в режиме понижения напряжения.
    Ключевые слова: стенд, микросхема, характеристики, алгоритм работы, накачки заряда, программа управления, виртуальная панель.

    37

    МИРОВОЗЗРЕНЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ И ОБЩЕСТВА

    Матронина Л.Ф., Агафонов А.Н.

    Социоинженерная деятельность в информационную эпоху 3

    Аннотация.В статье анализируется динамика социальной инженерии в информационном обществе (на примере социального программирования). Выявляются основные механизмы воздействия на личностные установки и общественное мнение, применяемые в социальном программировании, порождающие антропологические риски и ведущие к угрозе информационной безопасности.
    Ключевые слова: социальная инженерия, информационная эпоха, социальное программирование, информационная безопасность, антропологические риски.

    53

    Сухорукова С.М., Погорелый А.М., Высоцкий С.Г.

    Согласование техногенеза с экоразвитием как условие решения экологических проблем 1

    Аннотация.В условиях промышленного производства для получения прибыли необходимо, чтобы в единицу времени производилось как можно больше продукции. В этом отношении для предпринимателя техника предпочтительнее, чем человек, поскольку ее «не беспокоит», насколько деградирует природная среда после ее использования. Это означает, что вектор технологического развития, мотивируемый прибылью, оказывается не связанным с сохранением природной среды, пригодной для человека. Для преодоления этой направленности необходимо, чтобы экономическая мотивация использования новых технологий не допускала экологически негативных последствий их внедрения. Но этого не происходит в условиях рыночной экономики. Сегодня справедливо причину экологических проблем связывают с техникой и технологиями, разработанными на основе достижений современной науки. Но, при этом нельзя подразумевать лишь комплекс инженерного и естественнонаучного знания. Значительная доля ответственности ложится на гуманитарные, в том числе – и на экономические дисциплины. Для экологической безопасности производства необходима разработка теории экономики, ориентирующей техническое развитие на согласование с законами природной среды, сохраняющими ее жизнепригодность для человека. В статье рассматривается, как теория рыночной экономики изначально обусловливает рассогласование техногенеза и экоразвития, чем и определяет неизбежность появления экологических проблем. Для согласования техногенеза с экоразвитием и перехода к экологически устойчивому развитию необходим отказ от рыночной экономики, поскольку это позволит ввести институт «долговременной экономической ответственности за экологический ущерб» и, привлекая естественнонаучные знания, учитывать изменения эффективности природопользования на основе прогнозов циклических изменений в биосфере.
    Ключевые слова: экологически устойчивое развитие, техногенез, экоразвитие.

    60


  • Электронное сетевое издание

    «Российский технологический журнал» «Russian technological journal»

    Университет объединяет в своем составе:
    МИРЭА, МГУПИ, МИТХТ, ВНИИТЭ, РосНИИ ИТиАП, ИПК Минобрнауки России.


    Volume 4 №3 (12) 2016

    Download 8


    АНАЛИТИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИИ

    V.B. Goncharov, V.D. Ivchenko

    DISCRETENESS ERRORS OF FREQUENCY LEVEL GAUGES AND METHODS OF THEIR MINIMIZATION 2

    Annotation: The report examines the main causes of errors in the measurement of the level of rocket fuel components by variable frequency sensors – the speed of the wave propagation, the period of modulation, the nonlinearity of the amplitude-frequency characteristics of the generator and circuits, frequency deviation and difference frequency. The proposed options minimise bias. Methods of reducing the influence of discreteness errors in a frequency modulated (FM) transmitters (adaptive voltage control modulation, the introduction of an additional slow modulation of the carrier frequency, the spectral analysis method) are presented.
    Keywords:level gauge, waveguide sensor, microwave, discreteness error, error of level gauge.

    3

    MICRO- AND NANOELECTRONICS, PHYSICS OF CONDENSED STATE

    V. S. Kondratenko, V.I. Ivanov

    TECHNOLOGY OF LASER CUTTING OF SILICON WAFERS INTO ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE CHIPS 3

    Annotation:The article deals with the matter of crystal quality in the production of microdisplays based on organic light-emitting diodes (OLEDs) after separation. This work aimed at increasing the product yield in cutting a silicon device wafer into chips by a method based on laser controlled thermocracking (LCT). This paper considers the laser processes performed on a laser system RT-350 assessed by the heating effect on OLED structures. Data for rating the merit of the surfaces of chips after the laser controlled thermocracking and dicing, namely, the availability and size of the chipping, as well as surface roughness are presented and compared. The authors substantiated the possibility of increasing efficiency and quality in the process of cutting silicon device wafers with a thickness of 725 microns into OLEDs for microdisplays production.
    Keywords:ferroelectric, thin film, PZT, modeling, disturbed layer, dead layer.

    11

    P.P. Lavrov

    INFLUENCE OF DISTURBED LAYERS ON THE DIELECTRIC PROPERTIES OF FERROELECTRIC THIN FILM CAPACITORS 3

    Annotation: Capacitor ferroelectric structures are the basis of many modern microelectronic devices, including non-volatile memory, piezoelectric micro-actuators, sensors etc. Miniaturization of such devices requires a reduction in the ferroelectric layer thickness, which reduces the major characteristics of ferroelectric structures, such as permittivity, remanent polarization, Curie temperature, and others. Such thickness dependences are usually explained by the "disturbed layer" model, which assumes the existence of a nonferroelectric (disturbed, dead) layer with uniform thickness on the ferroelectric-metal interface. In this paper, dielectric characteristics of the capacitor structures based on dense and porous lead zirconate titanate (PZT) films with different thicknesses are studied. Modeling of permittivity dependencies as a function of the ferroelectric film thickness considering the presence of disturbed layers is performed. The optimal modeling technique is proposed.
    Keywords: ferroelectric, thin film, PZT, modeling, disturbed layer, dead layer.

    18

    I.A. Glinskiy, N.V. Zenchenko, P.P. Maltsev

    THERMAL MODELLING OF TERAHERTZ QUANTUM-CASCADE LASER BASED ON NANOHETEROSTRUCTURES GaAs/AlGaAs 3

    Annotation:This work presents the result of a simulation of thermal processes in a terahertz quantum cascade laser (THz QCL) based on GaAs/AlGaAs nanoheterostructure with a bimetal waveguide. A simplified model of THz QCL was built. Model simplifications of THz QCL were justified. The temperature distribution and maximum temperature values in the active region were obtained for different duty cycles and for various active region sizes with proportional heat generation change. Different types of bonding of the active region and substrate were simulated. According to the results a conclusion about the optimal duty cycle and frequency for the pulse mode were formulated. The time-to-stationary mode for different pulse width was calculated. The maximum temperature gradient in THz QCL was calculated.
    Keywords: THz source, terahertz quantum-cascade laser, bimetal waveguide, thermal modelling, finite elements method, heat distribution.

    27

    СОВРЕМЕННЫЕ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ

    V.K. Bityukov, A. A. Ivanov, A. V. Mironov, N. G. Mikhnevich, V.S. Perfiliev, V. A. Petrov

    TEST BENCH FOR STUDYING CHARACTERISTICS OF INTEGRATED CIRCUIT CHIPS OF SECONDARY REGULATED CHARGE PUMP POWER SUPPLY 2

    Annotation:An automated test bench for the study of the characteristics of various kinds of chips of mobile sources of regulated charge pump secondary power supply receiving energy from batteries was created. Having a modular structure, the test bench includes, in addition to the test charge pump module, power supply, control, load, display modules, and a USB module for connection with a computer. The test bench enables carrying out research of various types of chips by changing only one small measuring board. The control module is based on PIC18F2550 microcontroller. The automated measuring system consists of a multimeter and oscilloscope. The investigated characteristics are output voltage as a function of load current, output voltage as a function of supply voltage, the forms of the output voltage ripple, the response of chips to a stepped load transition. One of the major goals of the research is to study algorithms of the charge pump circuits. A program for controlling the test bench by creating a virtual front panel was developed. Together with a virtual panel of the oscilloscope and available multimeter software this allows controlling the equipment operating parameters and making measurements remotely over the Internet. Using the created test bench new experimental data on all of the above characteristics for MAX1759 chip were obtained, and an algorithm of this chip in the buck mode operation was studied for the first time.
    Keywords: test bench, integrated circuit chip, characteristics, algorithm, charge pump, control program, virtual panel.

    37

    МИРОВОЗЗРЕНЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ И ОБЩЕСТВА

    L.F. Matronina, A.N. Agafonov

    SOCIALLY-ENGINEERING ACTIVITY IN THE INFORMATION EPOCH 3

    Annotation:This article aims at identifying the dynamics of socioengineering activities in the information age, its possibilities and prospects. Conceptual analysis of contemporary approaches to social engineering undertaken by the authors showed that despite the discrepancies it should be considered as the direction of scientific research, on one hand, and as one of the leading mechanisms of transformation of social structures and social institutions, on the other hand. The authors take into account the results of research in the field of social engineering by leading experts and believe that there are a number of issues that require further development and concretization. Based on scientific methods (the method of systemic functional analysis, the comparative-analytical method, the hermeneutic approach and others) the article considers the features of social forecasting as a part of social engineering activities, describes the basic mechanisms of their influence on the attitude of public opinion capable of giving rise to anthropological risks and leading to a threat for information security. Given the contradictory nature of the social engineering activities in the information age, the authors come to the conclusion that one of the urgent problems of contemporary interdisciplinary studies is a competent examination of humanitarian social engineering assessment activities, including social programming to determine the degree ricorderai components and possibilities of their reduction.
    Keywords: social engineering, information age, social programming, information security, anthropological risks.

    53

    S.M. Sukhorukova, A.M. Pogorelyi, S.G. Vysotskiy

    CONCORDANCE OF TECHNOGENESIS WITH ECODEVELOPMENT 1

    Annotation: In the conditions of industrial production for profit-making it is necessary to make as much products as possible in a time unit. In this regard technological equipment it is more preferable to the businessman than the human, because the equipment does not care how much the natural environment degrades after its use. It means that the vector of technological development motivated by profit is not connected with preservation of the environment suitable for the human. In order to overcome this orientation it is necessary that the economic motivation of using new technologies would not allow ecologically negative consequences of their introduction. However, it is not so in the conditions of market economy. Today the cause of environmental problems is rightly connected with the equipment and technologies developed on the basis of achievements of modern science. However, one should not understand by this only the complex of engineering and natural-science knowledge. A considerable share of responsibility falls on human sciences including economic ones. For ecological safety of production it is necessary to develop a theory of economy orienting the technological development to coordination with the laws of the environment keeping its appropriateness for the life of the human. The article describes how the theory of market economy initially causes a mismatch of technogenesis and ecodevelopment, which determines the inevitability of emergence of environmental problems. In order to coordinate technogenesis with ecodevelopment and guarantee ecologically sustainable development, refusal of market economy is required, because this will allow to introduce long-term economic responsibility for ecological damage and to take into account changes in environmental management efficiency by using natural science knowledge on the basis of forecasts of cyclic changes in the biosphere.
    Keywords: environmentally sustainable development, technogenesis, eco-development.

    60

Система Orphus